 BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。
基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。
基本半导体第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块，半桥SiC MOSFET模块，ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M030120Z国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展，NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域，包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构，就是我们常说的“I”字型（也称NPC1）和“T”字型（也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一种NPC1的改进型，这些年随着器件的发展，ANPC也开始有一些适合的应用。
在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下，工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一，可以大化提升光伏自发自用率，降低工商业业主的电费开支，助力企业节能减排。
工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期，复合增速有望持续飙升。
基本半导体混合IGBT单管在工商业储能PCS变流器中的应用指南：
工商业储能PCS变流器：
1、主要功率点位：35kW、50kW、70kW（35kW两模块并）、100kW（50kW模块两并）、125kW（62.5kW模块两并），功率点位的选择主要取决于电池容量，都是标准值；
2、T型三电平是主流方案，出于竞争力考量，采用分立器件IGBT；T型三电平的开关频率，目前主要在16-20kHz之间
3、35kW单机方案：TO-247封装单管IGBT是现阶段主力，横管用650V 50AIGBT两并联，竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。
4、单机功率要跃迁到50kW和62.5kW，纯硅IGBT的并联个数太多，不符合客户的利益要求，功率越往上走，客户有很强的动力减少IGBT单管的数量，混合IGBT具有明显的应用优势，横管竖管都使用混合IGBT，可以大限度压低IGBT开通电阻，降低IGBT开关损耗，大限度发挥混管的性能。客户将IGBT的开通关断电阻分开，如果横管跟竖管同时选择混管，理论上可以将开通电阻调到0Ω，大大降级IGBT的损耗，这么一来，可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距，大程度发挥混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高，无法干过混管。混管在现有方案中具有较强的发展潜力和生命力。
横管混合IGBT选型推荐：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
竖管混合IGBT选型推荐：BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
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